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si3n4的使用温度一般不超过1300°c

氮化硅的很多性能都归结于此结构。3、热膨胀系数小，相比碳化硅等制品热导率高，不易产生热应力，具有-热震稳定性，使用-。纯si3n4为3119，有α和β两种晶体结构，均为六角晶形，其分解温度在空气中为1800℃，在110mpa氮中为1850℃。si3n4 热膨胀系数低、导热率高。热压烧结的氮化硅加热到l000℃后投入冷水中也不会。在不太高的温度下，si3n4 具有较高的强度和抗冲击性，但在1200℃以上会随使用时间的增长而出现破损，使其强度降低，在1450℃以上更易出现疲劳损坏，所以si3n4 的使用温度一般不超过1300℃。

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如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：

利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。

等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。

氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。-是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。

先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅，然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由-在1200-1350℃分解产生的。